Ultrafialové LED diody a jejich aplikace jsou důležitým vývojovým směrem polovodičového průmyslu třetí generace. S cílem urychlit významný vědecký a technologický výzkum a transformaci úspěchů se v roce 2020 Institut polovodičů Čínské akademie věd zavázal k výzkumnému a vývojovému úkolu projektu "Vysoce účinné technologie LED čipů DEEP Ultraviolet s vysokou účinností založený na galliovém nitřídu".
Jako nová generace ultrafialového světelného zdroje přitáhla hluboká ultrafialová LED dioda nitridů velkou pozornost výzkumných pracovníků a průmyslu z celého světa a došlo k průlomům v technologických inovacích a aplikačních inovacích. Posílením základního teoretického výzkumu a zaváděním nových technologií se projektová jednotka zaměřuje na klíč k vysoce kvalitním materiálům šablon AlN, velkým neshodným heteroepitaxiálním vadám a kontrole stresu materiálů AlGaN, vysoce účinnému návrhu kvantové struktury a epitaxi a vysoce účinným hlubokým ultrafialovým LED čipům Výzkumná práce na přípravě technologie a pokročilé balicí technologii výrazně zlepšila vnitřní kvantovou účinnost a účinnost extrakce světla hlubokých ultrafialových LED čipů. Připravené vysoce výkonné hluboké ultrafialové LED čipy mají světelný výkon přesahující 40 mW a byl vyvinut hluboký ultrafialový světelný výkon přesahující 1 W. LED modul, životnost modulu je více než 5000 hodin.
V současné době byly příslušné vysoce výkonné výrobky vyráběny v malých sériích. Po rozšíření rozsahu industrializace může účinně snížit náklady na čipy a ceny produktů, podporovat hluboký ultrafialový LED průmysl, aby otevřel nové aplikační oblasti a trhy a účinně podporoval rozvoj navazujících a navazujících souvisejících průmyslových odvětví a hospodářské a sociální přínosy budou velmi významné.
